PENGARUH LAPISAN PENYANGGA ALUMINIUM NITRIDA PADA STRUKTUR KRISTAL DAN SIFAT LISTRIK FILM TIPIS GALLIUM NITRIDA DITUMBUHKAN DENGAN METODE DC MAGNETRON SPUTTERING

This item was filled under [ Fisika ]
VN:F [1.9.22_1171]
Rating: 5.0/5 (28 votes cast)

skripsi jurusan fisika: PENGARUH LAPISAN PENYANGGA ALUMINIUM NITRIDA PADA STRUKTUR KRISTAL DAN SIFAT LISTRIK FILM TIPIS GALLIUM NITRIDA DITUMBUHKAN DENGAN METODE DC MAGNETRON SPUTTERING

NOVI INDRIANI SETYOWATI.2006. Skripsi fisika, Fakultas matematika dan ilmu pengetahuan alam, Universitas Negeri Semarang.

Hasil karakterisasi dan analisis difraksi sinar-X menunjukkan film tipis GaN yang ditumbuhkan tanpalapisan penyagga dan film

gga GaN memiliki strain yang lebih besar dibanding film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan lapisan penyangga AlN. Film tipis GaN dengan lapisan penyangga AlN dominan pada bidang kristal GaN(0002) dan GaN(0004) yang menunjukkan film tumbuh sejajar substrat sapphire dengan fase heksagonal. Kondisi optimal dimiliki oleh film tipis GaN dengan lapisan penyangga AlN ketebalan 40 nm, yang menunjukkan pergeseran puncak orientasi bidang GaN(0002) terendah dengan FWHM 0,36o. Analisis sifat listrik dengan efek Hall metode van der Pauw menunjukkan film tipis GaN yang ditumbuhkan tanpa lapisan
an mobilitas rendah. Sedangkan film tipis GaN dengan lapisan penyangga AlN memiliki nilai mobilitas besar. Ketebalan lapisan penyangga AlN 40 nm film tipis GaN memiliki resistivitas, mobilitas dan konsentrasi pembawa muatan masing-masing sebesar 19,26 ohm cm, 169 cm2/V s dan 1,92 x 1015 cm-3. Film dengan ketebalan lapisan penyangga AlN 40. Pada ketebalan lapisan penyangga ini, memiliki sifat listrik yang paling baik. Nilai mobilitas film tipis GaN dengan lapisan penyangga AlN masih rendah yaitu pada rentang (106-169) cm2/V s disebabkan adanya cacat kristal berupa hamburan polar fonon optik yang diakibatkan oleh adanya strain.

Download

PENGARUH LAPISAN PENYANGGA ALUMINIUM NITRIDA PADA STRUKTUR KRISTAL DAN SIFAT LISTRIK FILM TIPIS GALLIUM NITRIDA DITUMBUHKAN DENGAN METODE DC MAGNETRON SPUTTERING, 5.0 out of 5 based on 28 ratings
You can follow any responses to this entry through the RSS 2.0 feed. You can skip to the end and leave a response. Pinging is currently not allowed.

Copyright Notice: Skripsi-skripsi yang dipublikasikan di Pustakaskripsi.com adalah skripsi dengan lisensi boleh dipublikasikan dengan pernyataan Copyright sebagai berikut:
Copyrights : Copyright (c) <Universitas Penerbit>. Verbatim copying and distribution of this entire article is permitted by author in any medium, provided this notice is preserved.

Jika anda adalah penulis atau penerbit skripsi ini dan merasa tidak menerbitkan lisensi tersebut, dan merasa keberatan skripsi anda dipublikasikan, silahkan menghubungi admin di admin [at] pustakaskripsi.com. Kami akan dengan senang hati meng-unpublish Skripsi anda.

Sebarkan Ilmu walaupun hanya satu Ayat. Ilmu yang kau bagikan kepada orang lain maka akan semakin bertambah dan berkah.

Leave a Comment

Receive all updates via Facebook. Just Click the Like Button Below

Powered By Blogger Widgets