STUDI PENGARUH RASIO LAJU ALIR GAS ARGON DAN NITROGEN TERHADAP SIFAT OPTIK FILM TIPIS GALLIUM NITRIDA YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE DC MAGNETRON SPUTTERING

This item was filled under [ Fisika ]
VN:F [1.9.22_1171]
Rating: 5.0/5 (28 votes cast)

skripsi jurusan fisika: STUDI PENGARUH RASIO LAJU ALIR GAS ARGON DAN NITROGEN TERHADAP SIFAT OPTIK FILM TIPIS GALLIUM NITRIDA YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE DC MAGNETRON SPUTTERING

EKO SULASTRI.2006. Skripsi fisika, Fakultas matematika dan ilmu pengetahuan alam, Universitas Negeri Semarang.

Gallium nitrida (GaN) merupakan bahan semikonduktor yang mempunyai celah pita energi langsung (direct bandgap) besarnya 3,4 eV sehingga berpotensi untuk aplikasi piranti optoelektronik seperti LD (laser diode) dan LED (light emitting diode) warna hijau-biru.

Film tipis GaN telah ditumbuhkan di atas substrat safir (0001) dengan metode dc magnetron sputtering. Proses penumbuhan film tipis GaN dilakukan pada temperatur substrat 650 oC, daya sekitar 60 watt dan tekanan reaktor sekitar 1 Torr selama 3 jam. Empat buah sampel film tipis GaN telah ditumbuhkan dengan rasio laju alir gas argon dan nitrogen (Ar : N2) divariasi sebagai berikut: (90 : 0); (90 : 70); (60 : 60) dan (40 : 70) sccm. Film tipis GaN dikarakterisasi struktur kristalnya dengan EDAX dan XRD, sedangkan sifat optik film tipis GaN dikarakterisasi dengan spektrometer UV-vis
Hasil karakterisasi film tipis GaN dengan EDAX dan XRD menunjukkan kondisi optimal untuk penumbuhan film tipis GaN dicapai pada saat rasio Ar : N2 sama yaitu 60 : 60 sccm. Persentase atom Ga : N = 42,88 % : 57,12 %. Film tipis GaN mempunyai struktur heksagonal tumbuh dominan pada orientasi bidang (0002) sejajar bidang substrat safir (0001). Besarnya FWHM (full width at half maximum) GaN (0002) sekitar 0,4o, ukuran butiran film tipis GaN tersebut sekitar 217,43 Å dan kerapatan dislocationnya kecil sekitar 2,115.10-5 (Å)-2, menunjukkan jumlah cacat dalam film.
Hasil karakterisasi dengan spektrometer UV-vis menunjukkan bahwa pada umumnya film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan aliran gas nitrogen selama penumbuhan mempunyai trasmitansi yang lebih baik dibandingkan dengan film tipis GaN yang ditumbuhkan tanpa aliran gas nitrogen. Film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan rasio laju alir Ar : N2 = 60 : 60 sccm mempunyai celah pita energi (bandgab) yang terbesar dan energi urbach terendah dibandingkan dengan sampel lain hasil eksperimen ini.
Rasio laju alir gas argon dan nitrogen pada penumbuhan film tipis GaN dengan metode dc magnetron sputtering menentukan arah orientasi penumbuhan film tipis GaN, kualitas kristal dan sifat optik film tipis GaN.

Download

STUDI PENGARUH RASIO LAJU ALIR GAS ARGON DAN NITROGEN TERHADAP SIFAT OPTIK FILM TIPIS GALLIUM NITRIDA YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE DC MAGNETRON SPUTTERING, 5.0 out of 5 based on 28 ratings
You can follow any responses to this entry through the RSS 2.0 feed. You can skip to the end and leave a response. Pinging is currently not allowed.

Copyright Notice: Skripsi-skripsi yang dipublikasikan di Pustakaskripsi.com adalah skripsi dengan lisensi boleh dipublikasikan dengan pernyataan Copyright sebagai berikut:
Copyrights : Copyright (c) <Universitas Penerbit>. Verbatim copying and distribution of this entire article is permitted by author in any medium, provided this notice is preserved.

Jika anda adalah penulis atau penerbit skripsi ini dan merasa tidak menerbitkan lisensi tersebut, dan merasa keberatan skripsi anda dipublikasikan, silahkan menghubungi admin di admin [at] pustakaskripsi.com. Kami akan dengan senang hati meng-unpublish Skripsi anda.

Sebarkan Ilmu walaupun hanya satu Ayat. Ilmu yang kau bagikan kepada orang lain maka akan semakin bertambah dan berkah.

Leave a Comment

Receive all updates via Facebook. Just Click the Like Button Below

Powered By Blogger Widgets