STUDI PENUMBUHAN LAPISAN Ta2O5 DENGAN METODE DC MAGNETRON SPUTTERING UNTUK LAPISAN OKSIDA DALAM STRUKTUR METAL-OKSIDA-SEMIKONDUKTOR Al/Ta2O5/GaN

This item was filled under [ Fisika ]
VN:F [1.9.22_1171]
Rating: 5.0/5 (28 votes cast)

skripsi jurusan fisika: STUDI PENUMBUHAN LAPISAN Ta2O5 DENGAN METODE DC MAGNETRON SPUTTERING UNTUK LAPISAN OKSIDA DALAM STRUKTUR METAL-OKSIDA-SEMIKONDUKTOR Al/Ta2O5/GaN

Eko Ariadi. 2006. Skripsi fisika, Fakultas matematika dan ilmu pengetahuan alam, Universitas Negeri Semarang.

Material dielektrik Ta2O5 adalah material kapasitor yang banyak digunakan pada DRAM (dynamic random access memory), karena memiliki konstanta dielektrik tinggi, mempunyai kestabilan suhu dan kimia, serta menyimpan muatan yang tinggi. Lapisan Ta2O5 juga telah digunakan sebagai lapisan oksida dalam struktur metal-oksida-semikonduktor Al/Ta2O5/GaN yang ditumbuhkan di atas substrat safir (0001). Pengukuran langsung dari sifat listrik bahan semikonduktor dengan sebuah kontak logam (struktur logam-semikonduktor) menunjukkan sifat ohmik. Kebocoran arus ini dapat dikurangi dengan menumbuhkan lapisan oksida yang berfungsi sebagai insulator di atas lapisan semikonduktor

Lapisan tipis Ta2O5 telah berhasil ditumbuhkan di atas permukaan substrat silikon (100) dengan metode dc magnetron sputtering. Hasil penumbuhan lapisan Ta2O5 yang baik digunakan untuk fabrikasi struktur metal-oksida-semikonduktor. Substrat Si(100) dicuci dengan larutan aseton dan dibilas air DI. Selanjutnya, dietsa dalam larutan HCl : H2O2 : H2O dengan perbandingan 1:1:6 selama 10 menit, kemudian dicelupkan dalam larutan HF 10% selama 10 detik dan dibilas air DI lagi. Substrat safir dietsa dengan campuran larutan H2SO4 : H3PO4 : H2O2 dengan perbandingan 3:1:1 selama 15 menit. Proses penumbuhan lapisan tipis Ta2O5 dilakukan pada tekanan reaktor sekitar 1 Torr dengan daya plasma 60 watt selama 2 jam. Pengaruh laju alir gas O2 tanpa annealing dan proses annealing tanpa aliran oksigen terhadap struktur kristal lapisan tipis Ta2O5 telah dipelajari. Fabrikasi struktur metal-oksida-semikonduktor dilakukan dengan menumbuhkan lapisan Ta2O5 di atas lapisan GaN yang telah tumbuh pada substrat safir. Pengukuran arus-tegangan Ta2O5/GaN dilakukan dengan menggunakan kontak aluminium. Pemberian kontak aluminium menggunakan metode evaporasi.
Lapisan tipis Ta2O5 yang telah ditumbuhkan memiliki struktur kristal fase orthorombik. Hasil analisis dengan difraksi sinar-X menunjukkan lapisan tipis Ta2O5 yang ditumbuhkan tanpa aliran gas O2 memiliki struktur amorf. Perlakuan annealing terhadap lapisan Ta2O5 tanpa aliran O2 setelah penumbuhan dapat meningkatkan kristalinitas lapisan tipis dengan orientasi bidang (270). Lapisan tipis yang ditumbuhkan dengan laju alir O2 100 sccm menunjukkan orientasi kristal yang dominan pada bidang (212). Pemberian laju alir O2 400 sccm memunculkan orientasi pada bidang (1 12 1), (330), dan (212). Analisis sifat listrik melalui pengukuran arus-tegangan pada struktur metal-oksida-semikonduktor Al/Ta2O5/GaN menunjukkan arus kebocoran yang dipengaruhi oleh ketebalan lapisan oksida. Struktur metal-oksida-semikonduktor dengan ketebalan lapisan oksida 30 nm memiliki rapat kebocoran arus sebesar 1,1×10-4 A/cm2 pada kedua bias, sedangkan struktur metal-oksida-semikonduktor dengan ketebalan lapisan oksida 50 nm memiliki kebocoran arus sebesar 1,39×10-12 A/cm2 untuk bias mundur dan 1,5×10-12 A/cm2 untuk bias maju. Analisis karakteristik arus-tegangan menunjukkan kebocoran arus pada struktur metal-oksida-semikonduktor dipengaruhi mekanisme Frenkel-poole

Download

STUDI PENUMBUHAN LAPISAN Ta2O5 DENGAN METODE DC MAGNETRON SPUTTERING UNTUK LAPISAN OKSIDA DALAM STRUKTUR METAL-OKSIDA-SEMIKONDUKTOR Al/Ta2O5/GaN, 5.0 out of 5 based on 28 ratings
You can follow any responses to this entry through the RSS 2.0 feed. You can skip to the end and leave a response. Pinging is currently not allowed.

Copyright Notice: Skripsi-skripsi yang dipublikasikan di Pustakaskripsi.com adalah skripsi dengan lisensi boleh dipublikasikan dengan pernyataan Copyright sebagai berikut:
Copyrights : Copyright (c) <Universitas Penerbit>. Verbatim copying and distribution of this entire article is permitted by author in any medium, provided this notice is preserved.

Jika anda adalah penulis atau penerbit skripsi ini dan merasa tidak menerbitkan lisensi tersebut, dan merasa keberatan skripsi anda dipublikasikan, silahkan menghubungi admin di admin [at] pustakaskripsi.com. Kami akan dengan senang hati meng-unpublish Skripsi anda.

Sebarkan Ilmu walaupun hanya satu Ayat. Ilmu yang kau bagikan kepada orang lain maka akan semakin bertambah dan berkah.

Leave a Comment

Receive all updates via Facebook. Just Click the Like Button Below

Powered By Blogger Widgets